実績

-2018年9月、名古屋-

■強誘電体ゲートトランジスタにおける HfO₂系強誘電体薄膜の期待と問題点      藤村　紀文
■分子接面による遷移金属カルコゲナイドの物性変換       桐谷　乃輔
■BiFeO₃薄膜を用いた圧電MEMS振動発電素子の高出力化　　　荒牧　正明
■薄膜熱電対を用いたP(VDF-TrFE)薄膜の電気熱量効果の評価　　松下　裕司
■強誘電体/半導体ヘテロ接合における過渡的負性容量　　髙田　賢志
■遷移金属半導体表面におけるドナー性分子の自発的なパターン形成機構　　一宮　永
■HfO₂:Y/Si (100)ヘテロエピタキシャル薄膜の構造とその電気特性　　鎌田　大輝
■BiFeO₃薄膜の格子歪およびドメイン構造が圧電特性に及ぼす影響Ⅱ　　岡本　直樹
■P(VDF-TrFE)膜における_e31,f 圧電定数の評価 　　金川　いづる
■マルチフェロイックYbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の磁気輸送特性　　田中　淳平
■層状物質への位置選択的ドーピングを指向した分子性ドーパントの開拓　　福井　暁人
■MoS₂の光学特性の向上を指向した表面分子処理法の開拓　　山田　悠貴