実績

-2018年3月、東京-

■P(VDF-TrFE)厚膜の作製とその電気特性　　　　松下 裕司
■強誘電体ゲートFETにおける負性容量発現機構　　　高田 賢志
■非平衡酸窒素プラズマアシストPLD法によるZnO薄膜の製膜Ⅱ　　　金屋 良輔
■(001)Si基板上HfO2​系エピタキシャル薄膜の構造制御に向けた成長過程の観察　　　鎌田 大輝
■BiFeO3薄膜の格子歪およびドメイン構造が圧電特性に及ぼす影響　　　　岡本 直樹
■スパッタ法によるASnO3(A=Sr,Ba)薄膜の作製と電気特性評価　　　金川 いづる
■銅イオン供給律速条件下でのCu2O薄膜の電気化学成長　　　塩本 周平
■YbFe2O4薄膜の化学組成が電気・磁気的特性に及ぼす影響　　　田中 淳平