実績

2024年4月1日

  • 論文発表

研究員の論文が AIP Advances に採択されました。

Islam M.E. , Shimamoto K. , Yoshimura T. , Fujimura N.

Dielectric properties of low-temperature-grown homoepitaxial (−201) β-Ga2O3 thin film by atmospheric pressure plasma-assisted CVD

AIP Advances, 2024, 14, 045003 1-5

DOI: 10.1063/5.0189793