実績

-2025年9月、愛知 –

■強誘電体ゲートFETにおける分極特性が物理リザバー計算性能に及ぼす影響　　請関 優
■圧電共振⼦型電流センサリザバーによる電流情報解析　　西村 恵
■圧電振動⼦音響センサのリザバー性能に対する機械的特性の影響　　高城 明佳
■HfO₂系強誘電体MFMキャパシタにおける分極特性制御が物理リザバー計算性能に及ぼす影響　　井上颯太
■Si基板上（Ce,Mn）共置換ZnO薄膜における応⼒と電気的特性の評価　　⼤磯 裕也
■Si直上Al_0.7Sc_0.3N薄膜の抵抗変化特性の解析　　安岡 功樹
■Si基板上へのAl_0.7Sc_0.3N薄膜のエピタキシャル成⻑に向けた製膜条件の検討　　⻘木 悠佑
■Si基板上へのBiFeO₃-BaTiO₃薄膜の作製とその電気特性評価　　⾜田 友志
■Ga₂O₃薄膜のrf窒素プラズマ支援ALD成⻑とその電気特性評　　阿多 翔大
■Hf系強誘電体/WBG半導体β-Ga₂O₃界面電子構造の解析　　古川 勝裕
■非鉛圧電薄膜を⽤いた磁界応答型MEMS振動⼦による無線給電Ⅱ　　藤原 輝羅