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電界放出型走査電子顕微鏡(日本電子株式会社)JSM6500F【尾島由紘,工学部B棟527室】
・通常の二次電子像に加えて,反射電子(後方散乱電子)像の撮影が可能・Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy(EDS)による化学分析・Electron Backscatter Diffraction(EBSD)法による結晶方位解析
高いプローブ電流の条件で反射電子像を取得することで,原子番号コントラストや結晶方位(電子チャンネリング)コントラストを得ることができる.
SEM/EDS法は分解能が高く,1μm程度の領域でも元素分析ができる.
表面を平滑に研磨した結晶性材料に対しては,EBSD法で広い範囲で結晶方位を得ることができる.付属のソフトで極点図や粒界マップなどの描画が可能.
導電性が無い試料については,金やオスミウムなどによるコーティングが必要.ただし,低加速電圧で低倍率での観察ならば,コーティングなしでも観察可能な場合あり.
水分を含んだり,真空中でガスを放出する材料については観察不可.
【測定例1:材料の開発のため】表面の観察,粒子の形態観察,反射電子像による重原子相の同定,EBSD法による集合組織の分析,EDSによる元素マッピング,EDSによる定量分析,EBSDとEDSの組合わせによる相同定.
【測定例2:材料の損傷解析のため】破面形態観察,すべり帯・せん断帯の観察,腐食の分析,結晶格子回転の解析,相変態の解析,自己組織化した転位構造の観察.
工学研究科
杉本キャンパス 工学部B棟527
大阪公立大学 杉本キャンパス 研究推進課 研究基盤共用センター
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