研究室紹介
研究室概要
半導体デバイス物理グループは、東脇 正高 教授 と 沈 用球 准教授 が共同して運営している、新半導体材料およびデバイスの研究開発を行う研究室です。
東脇グループ
酸化ガリウム (Ga2O3) という新しい半導体の優れた材料特性を活かした、新機能電子デバイス（トランジスタ、ダイオード）の研究開発を行います。Ga2O3は、その4.5 eVと非常に大きなバンドギャップエネルギーに起因する優れた物性から、地球規模での社会課題である省エネに貢献する次世代パワーデバイス半導体材料として大きな注目を集め、世界的に活発に研究開発が進められています。また最近では、「極限環境」と呼ばれる環境（高温、放射線下、腐食性ガス雰囲気など）でも安定した長期動作が可能との見込みから、これら過酷な環境下での情報通信・信号処理デバイスとしての開発も行われています。
東脇グループでは、国内の企業、国立研究機関、大学、および海外の大学とも広く連携し、Ga2O3デバイスの実用化を目指した基礎からデバイスまでの幅広い研究開発を行います。
Ga2O3トランジスタ、ダイオードの応用領域
研究室で行うGa2O3デバイス研究開発内容の一例
沈グループ
- 光誘起変形材料に関する研究
光照射により変形する材料は、光駆動アクチュエーター等への応用が期待されます。当研究室では、光照射スポット部位が局所的に変形する新たな材料を発見しました。この光照射による局所的変形特性を活かした各種光駆動機構の開発やこの現象の物理的な原理を解明する研究を行っています。
- 半導体ナノ粒子の配列と光学特性に関する研究
半導体ナノ粒子はそのサイズにより物性が変化し、また、粒子間の相互作用によっても物性が変化します。本研究では、特に半導体ナノ粒子の光学特性（誘電率スペクトル、屈折率）に着目し、半導体ナノ粒子のサイズや配列によるこれら光学特性の変化や、その起源となる電子準位構造の解明を目的として研究を行っています。