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2025年11月16日
- 講演
ISGN-8 にて、東脇教授 招待講演
2025/11/9-12に台湾 台南にある国立成功大学で開催された The 8th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-8) において、東脇教授が「Ga2O3の窒素ドーピング技術」に関する招待講演を行いました。
M. Higashiwaki, "Nitrogen doping technology for Ga2O3 devices"
