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2026/3/15-18、東京都目黒区にある東京科学大学 大岡山キャンパスで開催された 第73回応用物理学会春季学術講演会にて大学院生(M2） 1名 、(M1） 3名 発表しました。

• 〇(M1)辻本 晃基、上原 知起、稲嶌 仁、寺村 祐輔、中岡 俊貴、武田 翔真、本田 智子、東脇 正高： "プラズマ援用MBE成長した窒素ドープ(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜の構造特性評価"

• 〇(M1)小路 啓太、松尾 大輔（日新イオン機器）、金野 舜（日新イオン機器）、臼井 洸佑（日新イオン機器）、安東 靖典（日新電機）、田中 浩平（日新イオン機器）、東脇 正高： "Siイオン注入したAlO_xを有するGa₂O₃ MOSキャパシタ"

• 〇(M1)田端 悠大、末廣 雄大、Ferreyra A. Romualdo、堤 卓也、金野 舜（日新イオン機器）、臼井 洸佑（日新イオン機器）、松尾 大輔（日新イオン機器）、伊庭 義騎(東京農工大院工)、寺内 悠真(東京農工大院工)、吉永 純也(東京農工大院工)、熊谷 義直(東京農工大院工)、大野 泰夫(レーザーシステム)、東脇 正高： "マイクロ波無線電力送電用レクテナ回路応用に向けた高周波Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード開発"

• 〇(M2)森原 淳、垣尾 宗、Ferreyra A. Romualdo、吉永 純也(東京農工大院工)、上村 崇史(NICT)、熊谷 義直(東京農工大院工)、東脇 正高： "高温アニール処理がGa₂O₃薄膜のトラップ準位に及ぼす影響のDLOS評価"

• (M2)峰山 滉正、〇東脇 正高: "反応性イオンエッチングにより窒素ドープしたn-Ga₂O₃ (100)、(010)、(001) 基板の構造および電気的特性評価"

• (M2)稲嶌 仁、峰山 滉正、本田 智子、〇東脇 正高: "MBE成長した窒素ドープGa₂O₃薄膜中の窒素原子の熱拡散(2)"