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2025/6/15-20に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催された 2025 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS) (Workshop: Next-Generation Devices: Where Do Ultra-Wide Bandgap Semiconductors Fit In?) において、東脇教授が「パワーおよび極限環境エレクトロニクス応用に向けたGa₂O₃ FET」に関する招待講演を行いました。

M. Higashiwaki, "Ga₂O₃ FETs for future power and harsh environment electronics"