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2025/9/7-10、愛知県名古屋市にある名城大学 天白キャンパスで開催された 第86回応用物理学会秋季学術講演会にて大学院生 (M2) 4名が発表しました。また、東脇教授が公開シンポジウム招待講演、共同研究者の角田さん、伊庭さん（東京農工大）からの発表もありました。

• 東脇 正高： "酸化ガリウムデバイスの現状と可能性"、「【一般公開シンポジウム】社会を変えるワイドギャップ半導体の現状と将来」
• (M2) 八木 虎太郎： "加熱イオン注入による高濃度Siドープn-Ga₂O₃のホール測定"
• (M2) 森原 淳： "減圧ホットウォールMOVPE成長したGa₂O₃薄膜のフォトキャパシタンス測定"
• (M2) 稲嶌 仁： "MBE成長した窒素ドープGa₂O₃薄膜中の窒素原子の熱拡散
• (M2) 峰山 滉正、東脇 正高： "反応性イオンエッチングにより窒素ドープしたn-Ga₂O₃ (010) 基板の構造および電気的特性評価"
• (M1) 伊庭 義騎（東京農工大）： "減圧ホットウォールMOVPE成長したSiドープβ-Ga₂O₃ホモエピタキシャル層の結晶性・電気的特性のSi濃度依存性"
• (M2) 角田 健太郎（東京農工大）、木川 孝俊、大槻 匠、上村 崇史、東脇 正高、熊谷 義直： "β-Ga₂O₃基板表面のGaClエッチングとHVPEホモエピタキシャル成長への影響"