2023卒　いくた　しゅんすけ

卒業論文：
「近赤外低温カソードルミネッセンスによるSOI基板の内部欠陥評価」

修士論文：
「ナノ共振器シリコンラマンレーザの内部吸収損失解明と高Q値化 」

【発明】

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特願2023-027733　「フォトニクスデバイスの製造方法およびフォトニクスデバイス」　出願日2023/2/24

高橋和，太田雄二，生田俊輔，岡野誠，浅野卓，野田進

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