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日本シード研究所 M09
中百舌鳥キャンパス C10棟クリーンルーム（暗室）
本装置は、最大3基の6インチターゲットを搭載可能なDCマグネトロンスパッタ装置です。現在、Nb、Cr、Al、MoGeなどのターゲットに対応しており、最大4インチ基板への成膜が可能です。ロードロック機構を備えており、試料交換室では10分以内に8.0×10⁻⁴ Paまで到達する高い真空性能を有しています。 【主な特徴】 ・最大3基のターゲットによる多材料成膜が可能です ・4インチ基板まで対応し、複数枚同時成膜が可能です ・ロードロック機構により迅速な試料交換と高真空維持を実現しています ・タッチパネル操作によりカソード切替が容易です ・基板加熱およびプラズマ洗浄機能を備えています 【基板仕様】 ・基板サイズ／数量：最大直径4インチ、最大4枚 【真空性能】 ・到達圧力： 成膜室：8.0×10⁻⁵ Pa以下 試料交換室：8.0×10⁻⁴ Pa以下 【ガス・圧力制御】 ・使用ガス：Ar、N₂、O₂ ・圧力制御：自動可変コンダクタンスバルブによる制御 ・ガス流量：マスフローコントローラによる手動設定 ・ベントガス：乾燥窒素 【スパッタ条件】 ・スパッタ方式：DCマグネトロンスパッタ方式 ・電源容量：1.5 kW ・ターゲット種類：Al、Nb、Cr（カソード3基） ・放電圧力範囲：0.3～10 Pa ・ターゲット－基板距離：50～150 mm（可変） ・膜厚分布：±15％以下（2インチ基板時） 【機構・操作】 ・カソード切替：タッチパネル操作による3箇所選択 ・数量：1式（位置固定） 【基板加熱】 ・加熱温度：最大400 ℃ ・温度制御精度：±10 ℃以下 【基板洗浄機能】 ・方式：RF平行平板方式 ・高周波：13.56 MHz（基板側印加） ・出力：300 W ・放電圧力範囲：0.3～10 Pa ・基板－対向電極距離：75～200 mm（手動可変）
※学外利用の実施及び料金についてはお問合せ下さい。※学内料金についてはお問合せください。
管理者：共用研究機器センター
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