電子ビーム描画装置（EB）

仕様 特徴

最小線幅10nmの微細パターン描画が可能。最大6インチウェハに対応し、高速・大面積描画が可能 。
・電子銃：ZrO/W熱電界放射型
・加速電圧：50 kV（固定）、30 kV、20 kV
・最小電子ビーム径：φ2 nm（50 kV時）
・描画最小線幅：10 nm（50 kV、75 μm□時）
・ビーム電流強度：1×10⁻¹² ～ 5×10⁻⁸ A（50 kV加速時）
・描画フィールドサイズ：1,200 μm□、600 μm□、300 μm□、150 μm□、75 μm□、2,400 μm□（20 kV時のみ）
・ビームポジション：18 bit DACによる位置決め（1フィールド最大240,000×240,000ポジション分解）
・ビーム位置決め分解能：0.31 nm（75 μm□使用時）、2.5 nm（600 μm□使用時）
・フィールドつなぎ精度：50 nm
・重ね合わせ精度：60 nm
・最大試料サイズ：4インチφウエハー試料、または4インチ□マスク試料
・カセット： 　

 ・カセット1：□3 mm～25 mm（6片） 　

 ・カセット2：□10 mm～15 mm、□20 mm～25 mm、□40 mm、□50 mm（各1片） 　

 ・カセット3：φ3インチ（1片） 　

 ・カセット4：φ4インチ（1片）
・CADソフトウェア：標準CAD、レジストレーション、DXF変換、GDS II変換、CPG、スポット描画、ラスタースキャン、ユーザープログラミング